應用：

主要用于制造微波單層片式電容器、微波薄膜電路等。

特性：

1.高品質(zhì)因素，高介電常數(shù) 20~130

2.接近于零值的諧振頻率溫度系數(shù)，具有優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性

3.基片平整，可到 2 英寸

4.可用于制備單層電容器、薄膜電路、微波介質(zhì)天線等